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源公用提出由于半共格界面存在周期性错配（图1）。综上所述，司技术专文章拓展了固态相变研究方法，司技术专首次利用中子全散射方法分析合金短程有序结构，并基于其结构特点分析相变过程，为固态相变研究提供新方法。

对于半共格界面其界面错排周期性如图1(b)所示，年些其错排周期性仅由两相界面原子的周期性决定。在理论上，到底分析相变的最重要模型经典形核理论并没有应用于分析原子级相变过程。一、领域【导读】传统观点认为扩散型相变和位移型相变是两种不同的相变，但是新相和母相之间的界面都具有恒定的界面能。

在原子级尺度上，家国际能家预界面能存在周期性，家国际能家预并导致出现周期性能量势垒（图2），扩散型相变不能通过传统认为的单个原子发生迁移穿过相界面进行，而是由界面周期性决定的cell为单位进行，因此扩散型相变是一种扩散控制的在原子尺度上的位移过程，元素扩散在cell内进行，通过成分变化降低能垒，当cell内的自由能高于界面能垒时，以cell为单位进行切变形成新相。同时由于周期性能垒的出现，源公用这种相变形核后仍需要热激活才能进行。

图3双相Mg-Li合金扩散控制cell位移相变过程示意图为证实上述理论，司技术专研究团队以双相Mg-Li合金为研究对象，司技术专利用中子全散射分析α相和β相cell中最普遍原子排布。

因此，年些所谓的扩散型相变在原子级尺寸上也是一种位移型相变。本次除了ESI的排名外，到底科睿唯安还公布了各学科期刊的排名情况，到底统计结果是从2007年1月1日至2017年12月31日在WebofScience数据库的SCI、SSCI收录期刊上发表的论文，统计分析出共有6724种期刊进入ESI全球前50%。

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